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長(zhǎng)沙鑫康新材料有限公司 金屬靶材 銅(Cu)靶材
銅(Cu)靶材
銅(Cu)靶材
產(chǎn)品類別
高純金屬靶材
產(chǎn)品名稱
銅(Cu)靶材
元素符號(hào)
Cu
純度
4N, 5N, 6N
形狀
平面靶 旋轉(zhuǎn)靶 異型定制
銅(Cu)靶材概述

       銅靶材我們可生產(chǎn)純度99.9%~99.9999%的各種純度及要求的銅靶,其中氧含量低可以<1ppm,主要用于顯示屏及觸摸屏配線及其保護(hù)膜,太陽(yáng)能光吸收層、半導(dǎo)體配線等行業(yè)。除了滿足客戶平面靶(大G8.5代)的需求,我們還可以生產(chǎn)銅的旋轉(zhuǎn)靶,主要用于觸摸屏行業(yè)。高純銅靶材的晶粒很難打碎,我們只有通過(guò)超大變形量加工,控制欒晶的生長(zhǎng),以取得細(xì)小均勻的微觀組織,從而可確保濺射鍍膜時(shí)能獲得較低侵蝕速率,并且降低濺射過(guò)程中顆粒的形成敏感度。下圖是銅濺射靶材的兩種典型的顯微金相檢測(cè)圖片,平均粒徑<50um。

銅靶材.jpg 高純銅靶材.jpg

只要您提供詳細(xì)的靶材信息,如純度,尺寸,公差要求,及其他技術(shù)要求,我們將盡快為您提供報(bào)價(jià),并提供快的交期

      銅濺射靶中的雜質(zhì)會(huì)降低材料的導(dǎo)電率,在半導(dǎo)體膜層生產(chǎn)中雜質(zhì)元素是影響良率的主要因素。以鈦、磷、鈣、鐵、鉻和硒等形式存在的雜質(zhì)尤為關(guān)鍵,而這些金屬在我們的銅靶中含量很少,其雜質(zhì)含量遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于客戶要求標(biāo)準(zhǔn)值。以下表格是4N高純銅濺射靶的成分分析證明書,采用的分析方法:1.使用GDMS或ICP-OES對(duì)金屬元素進(jìn)行分析;2.使用LECO進(jìn)行氣體元素分析。

銅靶材參數(shù).jpg

 

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